MOCVD被稱為有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法，就是以金屬有機(jī)物(如TMGa, TMAI, TMIn, TEGa 等)和烷類(如AsH₃, PH₃, NH₃ 等)為原料進(jìn)行化學(xué)氣相沉積生長單晶薄膜的一種技術(shù)，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延。金屬有機(jī)化合物大多是具有高蒸氣壓的液體，通過氫氣、氮?dú)饣蛘咂渌栊詺怏w作為載氣，將其攜帶出與烷類混合，再共同入反應(yīng)室高溫下發(fā)生反應(yīng)。

　　氫氣在MOCVD中擔(dān)當(dāng)載氣，將III（II）金屬有機(jī)物和V（VI）族氫化物以及摻雜源攜帶運(yùn)輸?shù)椒磻?yīng)室內(nèi)，為化學(xué)沉積反應(yīng)和薄膜生長提供基礎(chǔ)。MOCVD要求氫氣純度≥99.999%（≥5N），進(jìn)口壓力為4-7bar，而Proton G4800和S系列氫氣發(fā)生器所產(chǎn)氫氣可以符合這一領(lǐng)域的用氣需求。

Proton G4800

Proton S20/S40

　　其中，Proton G4800輸出氫氣的純度為99.9999%（6N），含水量小于1ppm,氫氣純度優(yōu)于MOCVD設(shè)備的要求，有利于提高半導(dǎo)體薄膜品質(zhì)和設(shè)備產(chǎn)出；同時(shí)，氫氣純度穩(wěn)定不變，減少了氫氣純度波動(dòng)對設(shè)備的影響。

　　另外，G4800和S系列氫氣發(fā)生器是現(xiàn)場制氫，發(fā)生器內(nèi)部氫氣儲藏量少。同時(shí)，內(nèi)置可燃?xì)怏w探測器，一旦氫氣泄漏，發(fā)生器報(bào)警停機(jī)，將降低氫氣的危險(xiǎn)系數(shù)。

　　此外，該系列設(shè)備操作便捷，保障氫氣供應(yīng)連續(xù)不間斷，用戶無需擔(dān)心氫氣用完，也無需和高壓氣體鋼瓶接觸。發(fā)生器自動(dòng)運(yùn)行，無需額外人工操作；發(fā)生器自動(dòng)偵測自身工作狀態(tài)和錯(cuò)誤，一旦偵測異常，發(fā)生器報(bào)警。